Serie
U-MOSVI-H
FET Type
N-Channel
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Grado | - |
| Serie | U-MOSVI-H |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | 8-VDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Número de producto base | TPCC8003 |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 6.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
Paquete
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MSL
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