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TrenchFET®
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N-Channel
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Grado | - |
| Serie | TrenchFET® |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Número de producto base | SI2318 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
Paquete
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MSL
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