MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULERoHS / Conformidad

Las imágenes son solo de referencia

WAB300M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE

Embalaje
Bulk
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Estado de la pieza
Obsolete
Fabricante
Wolfspeed, Inc.
Hoja de datos (PDF)
Conforme RoHS

Por qué elegirnos

Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida

Embalaje profesional

Embalaje original

Sellado de fábrica, bandeja ESD

Protección con desecante

Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos

Sellado al vacío

Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno

Embalaje seguro

Espuma antivibración, etiquetado antigolpes

ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteWolfspeed, Inc.
Serie-
EmbalajeBulk
TecnologíaSilicon Carbide (SiC)
FET Feature-
Estado de la piezaObsolete
Potencia - Max-
FabricanteWolfspeed, Inc.
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete / CasoModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 92mA
Número de producto baseWAB300
Temperatura de operación-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 300A, 15V
Paquete de dispositivo del proveedorModule
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs908nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24500pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C382A (Tc)
Paquete
-
MSL
-

Related Products