MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIPRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

ALD1102APAL

MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIP

بسته بندی
Tube
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
وضعیت قطعه
Active
قدرت - حداکثر
500mW
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهAdvanced Linear Devices Inc.
سری-
بسته بندیTube
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
وضعیت قطعهActive
قدرت - حداکثر500mW
تولید کنندهAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration2 P-Channel (Dual) Matched Pair
نوع نصبThrough Hole
بسته / مورد8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 10µA
شماره محصول پایهALD1102
دمای عملیاتی0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs270Ohm @ 5V
بسته دستگاه تأمین کننده8-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products