MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOICRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

ALD110808ASCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

سری
EPAD®
بسته بندی
Tube
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
وضعیت قطعه
Active
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهAdvanced Linear Devices Inc.
سریEPAD®
بسته بندیTube
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
وضعیت قطعهActive
قدرت - حداکثر500mW
تولید کنندهAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
نوع نصبSurface Mount
بسته / مورد16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id810mV @ 1µA
شماره محصول پایهALD110808
دمای عملیاتی0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.8V
بسته دستگاه تأمین کننده16-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12mA, 3mA
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products