MOSFET 2N-CH 30V 10A DIEموجودRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

EPC2100

MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE

سری
eGaN®
بسته بندی
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوری
GaNFET (Gallium Nitride)
وضعیت قطعه
Last Time Buy
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهEPC
سریeGaN®
بسته بندیTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوریGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
وضعیت قطعهLast Time Buy
قدرت - حداکثر-
تولید کنندهEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
نوع نصبSurface Mount
بسته / موردDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
شماره محصول پایهEPC210
دمای عملیاتی-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
بسته دستگاه تأمین کنندهDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 40A (Ta)
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products