MBR20040CT

DIODE MOD SCHOTT 40V 200A 2TOWER

سرعت
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
بسته بندی
Bulk
فناوری
Schottky
وضعیت قطعه
Active
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیDiode Arrays
تولیدکنندهGeneSiC Semiconductor
سرعتFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
سری-
بسته بندیBulk
فناوریSchottky
وضعیت قطعهActive
تولید کنندهGeneSiC Semiconductor
نوع نصبChassis Mount
بسته / موردTwin Tower
شماره محصول پایهMBR20040
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
بسته دستگاه تأمین کنندهTwin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr5 mA @ 20 V
ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر)40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If650 mV @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A (DC)
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products