MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6LموجودRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

G2K3N10L6

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

سری
TrenchFET®
بسته بندی
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
وضعیت قطعه
Active
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهGoford Semiconductor
سریTrenchFET®
بسته بندیTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
وضعیت قطعهActive
قدرت - حداکثر1.67W (Tc)
تولید کنندهGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
نوع نصبSurface Mount
بسته / موردSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
شماره محصول پایهG2K3N
دمای عملیاتی-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
بسته دستگاه تأمین کنندهSOT-23-6L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products