MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFNRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

G33N03D3

MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN

سری
TrenchFET®
بسته بندی
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
وضعیت قطعه
Active
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهGoford Semiconductor
سریTrenchFET®
بسته بندیTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
وضعیت قطعهActive
قدرت - حداکثر13W (Tc)
تولید کنندهGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
نوع نصبSurface Mount
بسته / مورد8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
شماره محصول پایهG33N
دمای عملیاتی-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 16A, 10V
بسته دستگاه تأمین کننده8-DFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds837pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products