MOSFET N-CH 200V 9A TO220ABRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

IRF630

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

FET Type
N-Channel
بسته بندی
Tube
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
وضعیت قطعه
Obsolete
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیSingle FETs, MOSFETs
تولیدکنندهHarris Corporation
سری-
FET TypeN-Channel
بسته بندیTube
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
وضعیت قطعهObsolete
نوع نصبThrough Hole
بسته / موردTO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 5.4A, 10V
بسته دستگاه تأمین کنندهTO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products