سری
HEXFET®
FET Type
N-Channel
بسته بندی
Tube
Vgs (Max)
±12V
مطابق RoHS
چرا ما
ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع
درخواست قیمت
قیمت نمایش داده نمیشود؟ یک درخواست بفرستید، فوراً پاسخ میدهیم.
حداقل سفارش1 عدد
بستهبندی حرفهای
بستهبندی اصلی
مهر و موم کارخانه، سینی ESD
محافظت با رطوبتگیر
کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل
مهر و موم خلاء
کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن
بستهبندی ایمن
فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| دستهبندی | Single FETs, MOSFETs |
| تولیدکننده | Infineon Technologies |
| نمره | - |
| سری | HEXFET® |
| FET Type | N-Channel |
| بسته بندی | Tube |
| Vgs (Max) | ±12V |
| فناوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| وضعیت قطعه | Obsolete |
| نوع نصب | Through Hole |
| صلاحیت | - |
| بسته / مورد | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| بسته دستگاه تأمین کننده | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2417 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
بستهبندی
-
MSL
-