MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFNRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

سری
FASTIRFET™
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهInfineon Technologies
نمره-
سریFASTIRFET™
بسته بندیTape & Reel (TR)
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
وضعیت قطعهObsolete
قدرت - حداکثر156W
تولید کنندهInfineon Technologies
Configuration2 N-Channel (Dual)
نوع نصبSurface Mount
صلاحیت-
بسته / مورد32-PowerWFQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
شماره محصول پایهIRFHE4250
دمای عملیاتی-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
بسته دستگاه تأمین کننده32-PQFN (6x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products