سری
U-MOSVIII-H
FET Type
N-Channel
بسته بندی
Tube
Vgs (Max)
±20V
مطابق RoHS
چرا ما
ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع
درخواست قیمت
قیمت نمایش داده نمیشود؟ یک درخواست بفرستید، فوراً پاسخ میدهیم.
حداقل سفارش1 عدد
بستهبندی حرفهای
بستهبندی اصلی
مهر و موم کارخانه، سینی ESD
محافظت با رطوبتگیر
کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل
مهر و موم خلاء
کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن
بستهبندی ایمن
فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| دستهبندی | Single FETs, MOSFETs |
| تولیدکننده | Toshiba Semiconductor and Storage |
| نمره | - |
| سری | U-MOSVIII-H |
| FET Type | N-Channel |
| بسته بندی | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| فناوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| وضعیت قطعه | Active |
| نوع نصب | Through Hole |
| صلاحیت | - |
| بسته / مورد | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| شماره محصول پایه | TK100A06 |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| بسته دستگاه تأمین کننده | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
بستهبندی
-
MSL
-