MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICموجودRoHS / انطباق

تصاویر فقط برای مرجع

SI9926CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

سری
TrenchFET®
بسته بندی
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
برگه داده (PDF)
مطابق RoHS

چرا ما

ضمانت کیفیت
تضمین کیفیت
ایمن ESD
محافظت ضد استاتیک
ارسال جهانی
ارسال سریع
پاسخ سریع
درخواست سریع

بسته‌بندی حرفه‌ای

بسته‌بندی اصلی

مهر و موم کارخانه، سینی ESD

محافظت با رطوبت‌گیر

کارت نشانگر رطوبت و سیلیکاژل شامل

مهر و موم خلاء

کیسه مانع رطوبت، پر شده با نیتروژن

بسته‌بندی ایمن

فوم ضد لرزش، برچسب ضد ضربه

پارامترمقدار
دسته‌بندیFET, MOSFET Arrays
تولیدکنندهVishay Siliconix
سریTrenchFET®
بسته بندیTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
فناوریMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
وضعیت قطعهActive
قدرت - حداکثر3.1W
تولید کنندهVishay Siliconix
Configuration2 N-Channel (Dual)
نوع نصبSurface Mount
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
شماره محصول پایهSI9926
دمای عملیاتی-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.3A, 4.5V
بسته دستگاه تأمین کننده8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
بسته‌بندی
-
MSL
-

Related Products