パワードライバモジュール4 製品
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| 画像 | 型番 | メーカー | 説明 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|
 PDF | GA100SICP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IPM 1.2KV 100A SOT-227-4 | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
 PDF | GA10SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | IPM 1.2KV 10A TO-247-3 | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
 PDF | GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | IPM 1.2KV 20A TO-263-8 | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
PDF | GA50SICP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IPM 1.2KV 50A SOT-227-4 | 最小注文: 1 ホバーで見積 |
パワードライバモジュールは、通常はIGBTやMOSFETなどの電力部品を物理的に収容するもので、ハーフブリッジや1相・2相・3相の構成で使用されます。パワー半導体（ダイ）は、パワー半導体を搭載し、必要に応じて電気的・熱的接触を確保するとともに電気絶縁を提供する基板上に、はんだ付けまたは焼結によって実装されます。パワーモジュールは高い電力密度を実現し、多くの場合で信頼性が高く冷却が容易です。