MWT-LN600

RF MOSFET PHEMT FET 3V DIE

Gain
12dB
周波数
26GHz
包装
Case
テクノロジー
pHEMT FET
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パラメータ
カテゴリRF FETs, MOSFETs
メーカーCML Micro
Gain12dB
シリーズ-
周波数26GHz
包装Case
テクノロジーpHEMT FET
部品の状態Active
製造業者CML Micro
Noise Figure0.5dB
Current - Test100 mA
パッケージ / ケースDie
Power - Output20dBm
Voltage - Test3 V
電圧 - 定格5.5 V
現在の評価(アンペア)-
サプライヤーデバイスタイプDie
パッケージ
-
MSL
-

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