MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFNRoHS / 適合

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DMN3035LWN-7

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
部品の状態
Active
パワー - マックス
770mW
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RoHS対応

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緩衝材、衝撃表示

パラメータ値
カテゴリFET, MOSFET Arrays
メーカーDiodes Incorporated
シリーズ-
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
部品の状態Active
パワー - マックス770mW
製造業者Diodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
取り付けタイプSurface Mount
パッケージ / ケース8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
基本製品番号DMN3035
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
サプライヤーデバイスタイプV-DFN3020-8 (Type N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
パッケージ
-
MSL
-

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