SI9926DY

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC

包装
Bulk
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
部品の状態
Active
パワー - マックス
900mW (Ta)
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パラメータ値
カテゴリFET, MOSFET Arrays
メーカーFairchild Semiconductor
シリーズ-
包装Bulk
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
部品の状態Active
パワー - マックス900mW (Ta)
製造業者Fairchild Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
取り付けタイプSurface Mount
パッケージ / ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
基本製品番号SI9926
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
サプライヤーデバイスタイプ8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
パッケージ
-
MSL
-

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