速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ
SiC Schottky MPS™
包装
Tube
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide) Schottky
RoHS対応
選ばれる理由
品質保証
品質保証
ESD対策
静電気対策
グローバル配送
迅速発送
迅速対応
迅速見積
見積依頼
価格が表示されませんか？見積依頼を送信いただければすぐにご返答します。
最小注文1 個
プロの梱包
オリジナル梱包
工場密封、ESDトレイ
乾燥剤保護
湿度表示カード・シリカゲル付き
真空梱包
防湿袋、窒素充填
安全梱包
緩衝材、衝撃表示
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single Diodes |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 包装 | Tube |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 部品の状態 | Active |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ / ケース | TO-247-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 1835pF @ 1V, 1MHz |
| サプライヤーデバイスタイプ | TO-247-2 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 1200 V |
| 電圧 - DC逆 (Vr) (最大) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 92A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
パッケージ
-
MSL
-