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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Diode Arrays |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| テクノロジー | Schottky |
| 部品の状態 | Active |
| 製造業者 | GeneSiC Semiconductor |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| パッケージ / ケース | Twin Tower |
| 基本製品番号 | MBR30035 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| サプライヤーデバイスタイプ | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 8 mA @ 20 V |
| 電圧 - DC逆 (Vr) (最大) | 35 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 150 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A |
パッケージ
-
MSL
-