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速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
包装
Bulk
テクノロジー
Schottky, Reverse Polarity
部品の状態
Obsolete
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single Diodes |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| テクノロジー | Schottky, Reverse Polarity |
| 部品の状態 | Obsolete |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| パッケージ / ケース | D-67 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| サプライヤーデバイスタイプ | D-67 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 30 V |
| 電圧 - DC逆 (Vr) (最大) | 30 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 200 A |
パッケージ
-
MSL
-