MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFNRoHS / 適合

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G33N03D3

MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN

シリーズ
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
部品の状態
Active
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パラメータ値
カテゴリFET, MOSFET Arrays
メーカーGoford Semiconductor
シリーズTrenchFET®
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
部品の状態Active
パワー - マックス13W (Tc)
製造業者Goford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
取り付けタイプSurface Mount
パッケージ / ケース8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
基本製品番号G33N
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 16A, 10V
サプライヤーデバイスタイプ8-DFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds837pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
パッケージ
-
MSL
-

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