FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | Single FETs, MOSFETs |
| メーカー | onsemi |
| Grade | - |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Obsolete |
| Mounting Type | Through Hole |
| Qualification | - |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Base Product Number | IRL640 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1705 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
パッケージ
-
MSL
-