MOSFET 2N-CH 4DFNEn stockRoHS / Conformidad

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AOC2870

MOSFET 2N-CH 4DFN

Serie
AlphaMOS
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Not For New Designs
Hoja de datos (PDF)
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlphaMOS
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaNot For New Designs
Potencia - Max1.4W
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso4-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Número de producto baseAOC287
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Paquete de dispositivo del proveedor4-DFN (1.7x1.7)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Paquete
-
MSL
-

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