AOC3878

MOSFET 2N-CH 12V 35A 10DFN

Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Active
Potencia - Max
3.1W (Ta)
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR)
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max3.1W (Ta)
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso10-SMD, No Lead
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Número de producto baseAOC387
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 5A, 4.5V
Paquete de dispositivo del proveedor10-AlphaDFN (3.55x1.77)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
Paquete
-
MSL
-

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