FET Type
N-Channel
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Tape & Box (TB)
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Active
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310 mW
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | JFETs |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Grado | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tape & Box (TB) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 310 mW |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de operación | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
| Current Drain (Id) - Max | 30 mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6 V @ 10 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8 mA @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 15V |
Paquete
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MSL
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