MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26En stockRoHS / Conformidad

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DMG9926UDM-7

MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26

Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
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Active
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteDiodes Incorporated
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Estado de la piezaActive
Potencia - Max980mW
FabricanteDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / CasoSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Número de producto baseDMG9926
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds856pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A
Paquete
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MSL
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