MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFNEn stockRoHS / Conformidad

Las imágenes son solo de referencia

DMN3035LWN-7

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Active
Potencia - Max
770mW
Hoja de datos (PDF)
Conforme RoHS

Por qué elegirnos

Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida

Embalaje profesional

Embalaje original

Sellado de fábrica, bandeja ESD

Protección con desecante

Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos

Sellado al vacío

Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno

Embalaje seguro

Espuma antivibración, etiquetado antigolpes

ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteDiodes Incorporated
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max770mW
FabricanteDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Número de producto baseDMN3035
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedorV-DFN3020-8 (Type N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
Paquete
-
MSL
-

Related Products