MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363En stockRoHS / Conformidad

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DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
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Active
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteDiodes Incorporated
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Estado de la piezaActive
Potencia - Max320mW
FabricanteDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Número de producto baseDMN3190
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Paquete
-
MSL
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