GANFET N-CH 30V 60A DIEEn stockRoHS / Conformidad

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EPC2023

GANFET N-CH 30V 60A DIE

Serie
eGaN®
FET Type
N-Channel
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Hoja de datos (PDF)
Conforme RoHS

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ParámetroValor
CategoríaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteEPC
Grado-
SerieeGaN®
FET TypeN-Channel
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Estado de la piezaNot For New Designs
Tipo de montajeSurface Mount
Calificación-
Paquete / CasoDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 20mA
Número de producto baseEPC20
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 40A, 5V
Paquete de dispositivo del proveedorDie
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Paquete
-
MSL
-

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