Serie
SiC Power
Embalaje
Box
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Estado de la pieza
Active
Conforme RoHS
Por qué elegirnos
Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotización
¿No se muestra el precio? Envíe una RFQ y le responderemos de inmediato.
MOQ1 uds.
Embalaje profesional
Embalaje original
Sellado de fábrica, bandeja ESD
Protección con desecante
Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos
Sellado al vacío
Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno
Embalaje seguro
Espuma antivibración, etiquetado antigolpes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | GE Aerospace |
| Grado | - |
| Serie | SiC Power |
| Embalaje | Box |
| Tecnología | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 1250W |
| Fabricante | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Paquete / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| Número de producto base | GE12047 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29300pF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
Paquete
-
MSL
-