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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | JFETs |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Grado | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 47 W |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-257-3 |
| Resistance - RDS(On) | 425 mOhms |
| Temperatura de operación | 210°C |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-257 |
| Current Drain (Id) - Max | 10 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100 nA @ 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 600V |
Paquete
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MSL
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