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TrenchFET®
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Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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MOSFET (Metal Oxide)
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Serie | TrenchFET® |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 1.67W (Tc) |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Número de producto base | G2K3N |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2A, 10V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-6L |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 536pF @ 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
Paquete
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MSL
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