MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFNEn stockRoHS / Conformidad

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GT060N04D52

MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN

Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Active
Potencia - Max
20W (Tc)
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteGoford Semiconductor
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max20W (Tc)
FabricanteGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 30A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1276pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Paquete
-
MSL
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