Serie
HEXFET®
Embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Por qué elegirnos
Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotización
¿No se muestra el precio? Envíe una RFQ y le responderemos de inmediato.
MOQ1 uds.
Embalaje profesional
Embalaje original
Sellado de fábrica, bandeja ESD
Protección con desecante
Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos
Sellado al vacío
Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno
Embalaje seguro
Espuma antivibración, etiquetado antigolpes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | International Rectifier |
| Serie | HEXFET® |
| Embalaje | Bulk |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 25W, 28W |
| Fabricante | International Rectifier |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Número de producto base | IRFH4257 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 25A, 10V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Dual PQFN (5x4) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1321pF @ 13V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
Paquete
-
MSL
-