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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | onsemi |
| Grado | - |
| Serie | - |
| Embalaje | Tube |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 200 W |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-264-5 |
| Transistor Type | NPN |
| Número de producto base | NJL3281 |
| Temperatura de operación | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 30MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-264-5 |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 3V @ 1A, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Corriente - Corte de colector (Máx) | 50µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 75 @ 5A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 260 V |
Paquete
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MSL
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