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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | Renesas Electronics Corporation |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 1 W |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | 3-SSIP |
| Transistor Type | PNP |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 80MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Corriente - Corte de colector (Máx) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 135 @ 100mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Paquete
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MSL
-