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Serie
π-MOSVII
FET Type
N-Channel
Embalaje
Tube
Vgs (Max)
±30V
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Grado | - |
| Serie | π-MOSVII |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tube |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Número de producto base | TK6A60 |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Paquete
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MSL
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