P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETEn stock

Las imágenes son solo de referencia

SI2323DDS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

FET Type
P-Channel
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±8V
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Hoja de datos (PDF)

Por qué elegirnos

Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida

Embalaje profesional

Embalaje original

Sellado de fábrica, bandeja ESD

Protección con desecante

Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos

Sellado al vacío

Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno

Embalaje seguro

Espuma antivibración, etiquetado antigolpes

ParámetroValor
CategoríaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteVishay Siliconix
Grado-
Serie-
FET TypeP-Channel
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±8V
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Tipo de montajeSurface Mount
Calificación-
Paquete / CasoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Paquete
-
MSL
-

Related Products