MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICEn stockRoHS / Conformidad

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SI9926CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Estado de la piezaActive
Potencia - Max3.1W
FabricanteVishay Siliconix
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Número de producto baseSI9926
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Paquete
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MSL
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