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TrenchFET®
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Grado | Automotive |
| Serie | TrenchFET® |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Número de producto base | SQ4850 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Paquete
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MSL
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