アイソレータ - ゲートドライバ219 製品
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| 画像 | 型番 | メーカー | 説明 | 在庫 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() PDF | NCV51153CADWR2G | onsemi | 5KVRMS ISOLATED SINGLE-CH | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCD57000DWR2G | onsemi | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCD57080CDR2G | onsemi | DGTL ISO 3.75KV 1CH GT DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD8342 | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SOP | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD3182SD | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD8321R2 | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 5SOP | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD8332R2V | onsemi | OPTOISO 4.243KV 1CH GT DVR 16SO | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD8316R2 | onsemi | OPTOISO 4.243KV 1CH GT DVR 16SO | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD3184TV | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8DIP | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCV57090BDWR2G | onsemi | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCV57081CDR2G | onsemi | DGTL ISO 3.75KV 1CH GT DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCV57081BDR2G | onsemi | DGTL ISO 3.75KV 1CH GT DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCV57090EDWR2G | onsemi | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCD57091CDWR2G | onsemi | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD8320 | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 5SOP | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | NCV57084DR2G | onsemi | DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 8SOIC | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD3180SV | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD3120SV | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD3150SV | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 | |
![]() PDF | FOD8384R2 | onsemi | OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 5SOP | 在庫あり | 最小注文: 1 ホバーで見積 |
アイソレータ・ゲートドライバは、電力信号と外部のMOSFETまたはブリッジ構成回路との間をつなぐインターフェースです。技術方式は、1、2、または4チャンネルの容量結合、磁気結合、光結合があります。電圧絶縁は1000Vrmsから7500Vrms、伝搬遅延は30nsから5msの範囲です。












