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シリーズ
EPAD®, Zero Threshold™
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | FET, MOSFET Arrays |
| メーカー | Advanced Linear Devices Inc. |
| シリーズ | EPAD®, Zero Threshold™ |
| 包装 | Tube |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 500mW |
| 製造業者 | Advanced Linear Devices Inc. |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ / ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| 基本製品番号 | ALD212914 |
| 動作温度 | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| サプライヤーデバイスタイプ | 8-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA |
パッケージ
-
MSL
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