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EPAD®, Zero Threshold™
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Tube
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MOSFET (Metal Oxide)
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | FET, MOSFET Arrays |
| メーカー | Advanced Linear Devices Inc. |
| シリーズ | EPAD®, Zero Threshold™ |
| 包装 | Tube |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Active |
| パワー - マックス | 500mW |
| 製造業者 | Advanced Linear Devices Inc. |
| Configuration | 4 P-Channel, Matched Pair |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ / ケース | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 780mV @ 1µA |
| 基本製品番号 | ALD310708 |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| サプライヤーデバイスタイプ | 16-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
パッケージ
-
MSL
-