MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363在庫ありRoHS / 適合

画像は参考用です

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
部品の状態
Active
データシート (PDF)
RoHS対応

選ばれる理由

品質保証
品質保証
ESD対策
静電気対策
グローバル配送
迅速発送
迅速対応
迅速見積

プロの梱包

オリジナル梱包

工場密封、ESDトレイ

乾燥剤保護

湿度表示カード・シリカゲル付き

真空梱包

防湿袋、窒素充填

安全梱包

緩衝材、衝撃表示

パラメータ
カテゴリFET, MOSFET Arrays
メーカーDiodes Incorporated
シリーズ-
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
部品の状態Active
パワー - マックス320mW
製造業者Diodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
取り付けタイプSurface Mount
パッケージ / ケース6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
基本製品番号DMN3190
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
サプライヤーデバイスタイプSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
パッケージ
-
MSL
-

Related Products