GANFET N-CH 200V 8.5A DIE在庫ありRoHS / 適合

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EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

シリーズ
eGaN®
FET Type
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
データシート (PDF)
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パラメータ
カテゴリSingle FETs, MOSFETs
メーカーEPC
成績-
シリーズeGaN®
FET TypeN-Channel
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
部品の状態Active
取り付けタイプSurface Mount
資格-
パッケージ / ケースDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.5mA
基本製品番号EPC20
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max)-
サプライヤーデバイスタイプDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds288 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta)
パッケージ
-
MSL
-

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