MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE在庫ありRoHS / 適合

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EPC2106

MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

シリーズ
eGaN®
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
部品の状態
Active
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パラメータ
カテゴリFET, MOSFET Arrays
メーカーEPC
シリーズeGaN®
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
部品の状態Active
パワー - マックス-
製造業者EPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
取り付けタイプSurface Mount
パッケージ / ケースDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 600µA
基本製品番号EPC210
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 5V
サプライヤーデバイスタイプDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.73nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A
パッケージ
-
MSL
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