シリーズ
eGaN®
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
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| パラメータ | 値 |
|---|---|
| カテゴリ | FET, MOSFET Arrays |
| メーカー | EPC |
| シリーズ | eGaN® |
| 包装 | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| 部品の状態 | Obsolete |
| パワー - マックス | - |
| 製造業者 | EPC |
| Configuration | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ / ケース | 9-VFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 基本製品番号 | EPC210 |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| サプライヤーデバイスタイプ | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
パッケージ
-
MSL
-