MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE在庫ありRoHS / 適合

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EPC2111

MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE

包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
部品の状態
Last Time Buy
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EPC
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パラメータ
カテゴリFET, MOSFET Arrays
メーカーEPC
成績-
シリーズ-
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
部品の状態Last Time Buy
パワー - マックス-
製造業者EPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
取り付けタイプSurface Mount
資格-
パッケージ / ケースDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
基本製品番号EPC211
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
サプライヤーデバイスタイプDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
パッケージ
-
MSL
-

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