GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE在庫ありRoHS / 適合

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EPC2215

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

FET Type
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
データシート (PDF)
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パラメータ
カテゴリSingle FETs, MOSFETs
メーカーEPC
成績-
シリーズ-
FET TypeN-Channel
包装Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
部品の状態Active
取り付けタイプSurface Mount
資格-
パッケージ / ケースDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 6mA
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max)-
サプライヤーデバイスタイプDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1790 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta)
パッケージ
-
MSL
-

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